STM32 电机控制 SDK MCFW-6.4.1
用于构建驱动 STM32 的 PMSM 电机应用的软件开发套件
单分流带相移电流检测概述

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在单一并联拓扑的背景下,相位移的目的是移动一到两个占空比,以便采样边界区的电流信号,而不是插入失真窗口。

其益处包括:

  • 更少的换位
  • 减少切换损耗

相位移原理

边界区1:

  • 固件在右侧以最小的占空比(TMIN,采样最短窗口时间)进行偏移。

边界区2:

  • 固件在最中间的作业周期中,通过TMIN(采样的最小窗口时间)在右侧偏移。

边界区3:

  • 固件通过TMIN(采样最小窗口时间)在右侧偏移最小占空比,左侧为最高占空比

外围用法

相位移需要以下外设来产生相位移。根据先进的定时器功能,将使用一到两个DMA通道

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C0TIM1DMA1_Ch2DMA1_Ch2 高压和TC
F0TIM1DMA1_Ch5 DMA1_Ch4DMA1_Ch5 高压和TC
F3TIM1DMA1_Ch4DMA1_Ch4 高压和TC
TIM8DMA1_Ch2DMA1_Ch2 高压和TC
F4TIM1DMA2_stream4 DMA2_stream5DMA_stream5 高手和TC
TIM8DMA2_stream7 DMA2_stream1DMA_Stream1 高管和TC
F7TIM1DMA2_stream4DMA2_Stream4 高手和TC
TIM8DMA2_stream7DMA2_Stream7 高手和TC
G0TIM1DMA1_Ch4DMA1_Ch4 高压和TC
G4TIM1DMA1_Ch1DMA1_Ch1 高压和TC
TIM8DMA2_Ch1DMA2_Ch4 高压和TC
H5TIM1GPDMA1_Channel0GPDMA1_Channel0 高管和TC
TIM8GPDMA1_Channel1GPDMA1_Channel1 高管和TC
L4TIM1DMA1_Ch4DMA1_Ch4 高压和TC
TIM8DMA2_Ch2DMA2_Ch2 高压和TC
U5TIM1GPDMA1_Channel0GPDMA1_Channel0 高管和TC
TIM8GPDMA1_Channel1GPDMA1_Channel1 高管和TC

单分流相位调度示例

6个通道高级定时器和执行速率 = 1 (G0,C0,G4,F3,L4,F7)

STM32 MC SDK 中的单并联相位移

单分流由以下方式实现(且r1_ps_pwm_cur_fdbk.cr1_ps_pwm_cur_fdbk.h)

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